氮化鎵和碳化硅，是新一代半導體材料，用它制造的電力電子器件具有低損耗、快速開關(guān)等特點，是目前發(fā)達國家重點投入的電力電子關(guān)鍵技術(shù)。浙江大學“90后”研究員楊樹，憑借對這一前沿領(lǐng)域的深入研究，入選了第十二批青年千人計劃，歸國任教，打造環(huán)保節(jié)能利器。

　　眼前這個半透明的晶圓就是新型氮化鎵同質(zhì)外延材料，在經(jīng)過光刻、離子注入、金屬化等一系列微納加工后，就形成了這個兩厘米見方的芯片，別看它外表看似普通，但其實大有學問，它的上面包含了上百個電力電子器件。在氮化鎵材料的幫助下，一個幾平方毫米的器件能夠阻斷上千伏的高壓和導通數(shù)十安培的電流，相較于傳統(tǒng)的半導體材料硅，新器件可大幅降低功耗、提升效率和工作頻率。而對于這一領(lǐng)域的研究，浙江大學“90后”博導楊樹和團隊獲得了業(yè)內(nèi)的廣泛認可。近五年，她已經(jīng)在國際權(quán)威期刊及頂級會議發(fā)表論文六十余篇。

　　2010年，年僅20歲的她從復旦大學畢業(yè)，進入香港科技大學攻讀電子計算機工程博士學位，隨后留校擔任客座助理教授。2016年，在英國劍橋大學進行博士后研究工作的楊樹被浙江大學引進，成為浙大當年最年輕的博士生導師之一。

　　浙江大學電氣工程學院院長 盛況：我們中國的經(jīng)濟和整個國家民族的發(fā)展，在這些年發(fā)展得非常好。那么對這些人才有迫切需求，我們國家也給這些人才提供了非常好的發(fā)展的機遇和機會，這些年輕人們紛紛的在國外求完學，回到祖國來，為祖國的發(fā)展做貢獻。

　　2012年，浙江大學電力電子器件團隊和蘇州高新區(qū)攜手打造了專門用于新型半導體電力電子器件研制的實驗室，這也是國內(nèi)高校中為數(shù)不多的具有該領(lǐng)域研發(fā)的實驗室。歸國后的楊樹和團隊正是借助于這個平臺，向具有更低損耗、更高頻率的新型氮化鎵和碳化硅電力電子不斷攻關(guān)，致力于打造出更多適用于智能電網(wǎng)、新能源汽車等領(lǐng)域的高效電力電子器件。

　　浙江大學電氣工程學院研究員 楊樹：我覺得能夠回到自己的國家，回到自己熟悉的環(huán)境，然后現(xiàn)在平臺也非常好，能夠在這樣的平臺上做一份自己熱愛的事業(yè)，讓我覺得心里非常踏實。也希望通過自己的努力，能夠為學科的發(fā)展貢獻一份微薄的力量。

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