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Vishay威世半導體原廠型號：VS-GT400TH120N

制造商：Vishay Semiconductor Diodes Division

描述：IGBT 1200V 600A 2119W DIAP

系列：-

IGBT 類型：溝道

配置：半橋

電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200V

電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：600A

功率 - 最大值：2119W

不同 Vge、Ic 時的 Vce(on)：2.15V @ 15V，400A

電流 - 集電極截止（最大值）：5mA

不同 Vce 時的輸入電容 (Cies)：28.8nF @ 25V

輸入：標準

NTC 熱敏電阻：無

安裝類型：底座安裝

封裝/外殼：雙 INT-A-PAK（3 + 8）

供應商器件封裝：雙 INT-A-PAK