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VS-GB100TH120N
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Vishay威世半導(dǎo)體原廠型號:VS-GB100TH120N

制造商:Vishay Semiconductor Diodes Division

描述:IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK

系列:-

IGBT 類型:-

配置:半橋

電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V

電流 - 集電極 (Ic)(最大值):200A

功率 - 最大值:833W

不同 Vge、Ic 時的 Vce(on):2.35V @ 15V,100A

電流 - 集電極截止(最大值):5mA

不同 Vce 時的輸入電容 (Cies):8.58nF @ 25V

輸入:標(biāo)準(zhǔn)

NTC 熱敏電阻:無

安裝類型:底座安裝

封裝/外殼:雙 INT-A-PAK(3 + 4)

供應(yīng)商器件封裝:雙 INT-A-PAK


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