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SUD35N10-26P-E3
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Vishay威世半導體原廠型號:SUD35N10-26P-E3

制造商:Vishay Siliconix

描述:MOSFET N-CH 100V 35A TO252

系列:TrenchFET

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:標準

漏源極電壓 (Vdss):100V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):35A(Tc)

不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):26 毫歐 @ 12A,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.4V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):47nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):2000pF @ 12V

功率 - 最大值:83W

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63

供應(yīng)商器件封裝:TO-252,(D-Pak)


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