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SQM120P06-07L-GE3
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Vishay威世半導體原廠型號:SQM120P06-07L-GE3

制造商:Vishay Siliconix

描述:MOSFET P-CH 60V 120A TO263

系列:TrenchFET

FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物

FET 功能:邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss):60V

電流 - 連續漏極 (Id)(25°C 時):120A(Tc)

不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):6.7 毫歐 @ 30A,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):270nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):14280pF @ 25V

功率 - 最大值:375W

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB

供應商器件封裝:TO-263


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