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SIS990DN-T1-GE3
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Vishay威世半導體原廠型號:SIS990DN-T1-GE3

制造商:Vishay Siliconix

描述:MOSFET 2N-CH 100V 12.1A 1212-8

系列:TrenchFET

FET 類型:2 個 N 溝道(雙)

FET 功能:標準

漏源極電壓 (Vdss):100V

電流 - 連續漏極 (Id)(25°C 時):12.1A

不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):85 毫歐 @ 8A, 10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):8nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):250pF @ 50V

功率 - 最大值:25W

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:PowerPAK 1212-8 雙

供應商器件封裝:PowerPAK 1212-8 Dual


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