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SIS413DN-T1-GE3
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Vishay威世半導體原廠型號:SIS413DN-T1-GE3

制造商:Vishay Siliconix

描述:MOSFET P-CH 30V 18A PPAK 1212-8

系列:TrenchFET

FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物

FET 功能:邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss):30V

電流 - 連續漏極 (Id)(25°C 時):18A(Tc)

不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):9.4 毫歐 @ 15A, 10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):110nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):4280pF @ 15V

功率 - 最大值:52W

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:PowerPAK 1212-8

供應商器件封裝:PowerPAK 1212-8


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