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Vishay威世半導(dǎo)體原廠型號：SIS412DN-T1-GE3

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 30V 12A 1212-8 PPAK

系列：TrenchFET

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：30V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）：12A（Tc）

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：24 毫歐 @ 7.8A，10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：12nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：435pF @ 15V

功率 - 最大值：15.6W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：PowerPAK 1212-8

供應(yīng)商器件封裝：PowerPAK 1212-8