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SIRA12DP-T1-GE3
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Vishay威世半導(dǎo)體原廠型號(hào):SIRA12DP-T1-GE3

制造商:Vishay Siliconix

描述:MOSFET N-CH 30V 25A PPAK SO-8

系列:TrenchFET

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss):30V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):25A(Tc)

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):4.3 毫歐 @ 10A,10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):45nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):2070pF @ 15V

功率 - 最大值:31W

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:PowerPAK SO-8

供應(yīng)商器件封裝:PowerPAK SO-8


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