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SIR412DP-T1-GE3
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Vishay威世半導體原廠型號:SIR412DP-T1-GE3

制造商:Vishay Siliconix

描述:MOSFET N-CH 25V 20A PPAK SO-8

系列:TrenchFET

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:標準

漏源極電壓 (Vdss):25V

電流 - 連續漏極 (Id)(25°C 時):20A(Tc)

不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):12 毫歐 @ 10A,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):16nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):600pF @ 10V

功率 - 最大值:15.6W

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:PowerPAK SO-8

供應商器件封裝:PowerPAK SO-8


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