91偷拍一区二区三区精品-91图片-91外教网-91外围-91玩-91网

SIR168DP-T1-GE3 >>> Vishay芯片，深圳市諾森半導(dǎo)電子有限公司提供Vishay公司SIR168DP-T1-GE3報價、現(xiàn)貨供應(yīng)、功能介紹、技術(shù)資料下載，想實時獲取此顆IC的全球現(xiàn)貨庫存數(shù)量及實時價格嗎？那就馬上與我們聯(lián)系吧！

采購SIR168DP-T1-GE3？不再猶豫，找我們沒錯！對有長期需求的制造商，提供免費樣品！從前期的產(chǎn)品試產(chǎn)到大批量生產(chǎn)，我們將提供性價比最高的現(xiàn)貨供應(yīng)服務(wù)！

Vishay威世半導(dǎo)體原廠型號：SIR168DP-T1-GE3

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

系列：TrenchFET

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓 (Vdss)：30V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：40A（Tc）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：4.4 毫歐 @ 15A，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：75nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：2040pF @ 15V

功率 - 最大值：34.7W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：PowerPAK SO-8

供應(yīng)商器件封裝：PowerPAK SO-8