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SIHU7N60E-GE3
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Vishay威世半導體原廠型號:SIHU7N60E-GE3

制造商:Vishay Siliconix

描述:MOSFET N-CH 600V 7A TO-251

系列:-

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:標準

漏源極電壓 (Vdss):600V

電流 - 連續漏極 (Id)(25°C 時):7A(Tc)

不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):600 毫歐 @ 3.5A,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):40nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):680pF @ 100V

功率 - 最大值:78W

安裝類型:通孔

封裝/外殼:TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA

供應商器件封裝:I-Pak


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