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SIHP33N60E-GE3
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Vishay威世半導(dǎo)體原廠型號:SIHP33N60E-GE3

制造商:Vishay Siliconix

描述:MOSFET N-CH 600V 33A TO-220AB

系列:-

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:標準

漏源極電壓 (Vdss):600V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):33A(Tc)

不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):99 毫歐 @ 16.5A,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):150nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):3508pF @ 100V

功率 - 最大值:278W

安裝類型:通孔

封裝/外殼:TO-220-3

供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB


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