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SIHP22N60E-GE3
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Vishay威世半導(dǎo)體原廠型號:SIHP22N60E-GE3

制造商:Vishay Siliconix

描述:MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB

系列:-

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓 (Vdss):600V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):21A(Tc)

不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):180 毫歐 @ 11A,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):86nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):1920pF @ 100V

功率 - 最大值:227W

安裝類型:通孔

封裝/外殼:TO-220-3

供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB


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