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SIHG33N60EF-GE3
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Vishay威世半導體原廠型號:SIHG33N60EF-GE3

制造商:Vishay Siliconix

描述:MOSFET N-CH 650V 33A TO-247AC

系列:-

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:標準

漏源極電壓 (Vdss):600V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):33A(Tc)

不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):98 毫歐 @ 16.5A, 10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):155nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):3454pF @ 100V

功率 - 最大值:278W

安裝類型:通孔

封裝/外殼:TO-247-3

供應商器件封裝:TO-247AC


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