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SIB914DK-T1-GE3
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Vishay威世半導體原廠型號:SIB914DK-T1-GE3

制造商:Vishay Siliconix

描述:MOSFET 2N-CH 8V 1.5A PPAK SC75-6

系列:TrenchFET

FET 類型:2 個 N 溝道(雙)

FET 功能:標準

漏源極電壓 (Vdss):8V

電流 - 連續漏極 (Id)(25°C 時):1.5A

不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):113 毫歐 @ 2.5A,4.5V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):800mV @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):2.6nC @ 5V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):125pF @ 4V

功率 - 最大值:3.1W

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:PowerPAK SC-75-6L 雙

供應商器件封裝:PowerPAK SC-75-6L 雙


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