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SIB900EDK-T1-GE3
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Vishay威世半導(dǎo)體原廠型號(hào):SIB900EDK-T1-GE3

制造商:Vishay Siliconix

描述:MOSFET 2N-CH 20V 1.5A SC-75-6

系列:TrenchFET

FET 類型:2 個(gè) N 溝道(雙)

FET 功能:邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss):20V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):1.5A

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):225 毫歐 @ 1.6A,4.5V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):1.7nC @ 4.5V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):-

功率 - 最大值:3.1W

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:PowerPAK SC-75-6L 雙

供應(yīng)商器件封裝:PowerPAK SC-75-6L 雙


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