91偷拍一区二区三区精品-91图片-91外教网-91外围-91玩-91网

SIA429DJT-T1-GE3 >>> Vishay芯片，深圳市諾森半導電子有限公司提供Vishay公司SIA429DJT-T1-GE3報價、現貨供應、功能介紹、技術資料下載，想實時獲取此顆IC的全球現貨庫存數量及實時價格嗎？那就馬上與我們聯系吧！

采購SIA429DJT-T1-GE3？不再猶豫，找我們沒錯！對有長期需求的制造商，提供免費樣品！從前期的產品試產到大批量生產，我們將提供性價比最高的現貨供應服務！

Vishay威世半導體原廠型號：SIA429DJT-T1-GE3

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET P-CH 20V 12A SC-70

系列：TrenchFET

FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET 功能：邏輯電平柵極，1.5V 驅動

漏源極電壓 (Vdss)：20V

電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：12A（Tc）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：20.5 毫歐 @ 6A，4.5V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：62nC @ 8V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1750pF @ 10V

功率 - 最大值：19W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：PowerPAK SC-70-6

供應商器件封裝：PowerPAK SC-70-6 單