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SIA419DJ-T1-GE3
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Vishay威世半導(dǎo)體原廠型號:SIA419DJ-T1-GE3

制造商:Vishay Siliconix

描述:MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6

系列:TrenchFET

FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物

FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓 (Vdss):20V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):12A(Tc)

不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):30 毫歐 @ 5.9A,4.5V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):850mV @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):29nC @ 5V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):1500pF @ 10V

功率 - 最大值:19W

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:PowerPAK SC-70-6

供應(yīng)商器件封裝:PowerPAK SC-70-6 單


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