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SI8900EDB-T2-E1
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Vishay威世半導(dǎo)體原廠型號(hào):SI8900EDB-T2-E1

制造商:Vishay Siliconix

描述:MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 10-MFP

系列:TrenchFET

FET 類型:2 N 溝道(雙)共漏

FET 功能:邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss):20V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):5.4A

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):-

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1V @ 1.1mA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):-

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):-

功率 - 最大值:1W

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:10-UFBGA,CSPBGA

供應(yīng)商器件封裝:10-Micro Foot(2x5)


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