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SI8810EDB-T2-E1
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Vishay威世半導體原廠型號:SI8810EDB-T2-E1

制造商:Vishay Siliconix

描述:MOSFET N-CH 20V 2.1A MICROFOOT

系列:TrenchFET

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss):20V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):-

不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):72 毫歐 @ 1A, 4.5V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):900mV @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):8nC @ 8V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):245pF @ 10V

功率 - 最大值:500mW

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:4-XFBGA

供應商器件封裝:4-Microfoot


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