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SI8429DB-T1-E1
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Vishay威世半導體原廠型號:SI8429DB-T1-E1

制造商:Vishay Siliconix

描述:MOSFET P-CH 8V 11.7A 2X2 4-MFP

系列:TrenchFET

FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物

FET 功能:邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss):8V

電流 - 連續漏極 (Id)(25°C 時):11.7A(Tc)

不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):35 毫歐 @ 1A,4.5V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):800mV @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):26nC @ 5V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):1640pF @ 4V

功率 - 最大值:6.25W

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:4-XFBGA,CSPBGA

供應商器件封裝:4-Microfoot


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