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SI7998DP-T1-GE3
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Vishay威世半導體原廠型號:SI7998DP-T1-GE3

制造商:Vishay Siliconix

描述:MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO-8

系列:TrenchFET

FET 類型:2 個 N 溝道(雙)

FET 功能:邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss):30V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):25A,30A

不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):9.3 毫歐 @ 15A,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):26nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):1100pF @ 15V

功率 - 最大值:22W,40W

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:PowerPAK SO-8 雙

供應商器件封裝:PowerPAK SO-8 Dual


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