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Vishay威世半導(dǎo)體原廠型號：SI7956DP-T1-GE3

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8

系列：TrenchFET

FET 類型：2 個 N 溝道（雙）

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：150V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：2.6A

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：105 毫歐 @ 4.1A，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：26nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：-

功率 - 最大值：1.4W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：PowerPAK SO-8 雙

供應(yīng)商器件封裝：PowerPAK SO-8 Dual