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SI7434DP-T1-E3
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Vishay威世半導體原廠型號:SI7434DP-T1-E3

制造商:Vishay Siliconix

描述:MOSFET N-CH 250V 2.3A PPAK SO-8

系列:TrenchFET

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss):250V

電流 - 連續漏極 (Id)(25°C 時):2.3A(Ta)

不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):155 毫歐 @ 3.8A,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):50nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):-

功率 - 最大值:1.9W

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:PowerPAK SO-8

供應商器件封裝:PowerPAK SO-8


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