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SI7119DN-T1-GE3
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Vishay威世半導(dǎo)體原廠型號:SI7119DN-T1-GE3

制造商:Vishay Siliconix

描述:MOSFET P-CH 200V 3.8A 1212-8

系列:TrenchFET

FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物

FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓 (Vdss):200V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):3.8A(Tc)

不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):1.05 歐姆 @ 1A,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):25nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):666pF @ 50V

功率 - 最大值:52W

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:PowerPAK 1212-8

供應(yīng)商器件封裝:PowerPAK 1212-8


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