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SI5920DC-T1-GE3
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Vishay威世半導體原廠型號:SI5920DC-T1-GE3

制造商:Vishay Siliconix

描述:MOSFET 2N-CH 8V 4A 1206-8

系列:TrenchFET

FET 類型:2 個 N 溝道(雙)

FET 功能:邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss):8V

電流 - 連續漏極 (Id)(25°C 時):4A

不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):32 毫歐 @ 6.8A,4.5V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):12nC @ 5V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):680pF @ 4V

功率 - 最大值:3.12W

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:8-SMD,扁平引線

供應商器件封裝:1206-8 ChipFET


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