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SI5513CDC-T1-GE3
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Vishay威世半導體原廠型號:SI5513CDC-T1-GE3

制造商:Vishay Siliconix

描述:MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8

系列:TrenchFET

FET 類型:N 和 P 溝道

FET 功能:邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss):20V

電流 - 連續漏極 (Id)(25°C 時):4A,3.7A

不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):55 毫歐 @ 4.4A,4.5V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):4.2nC @ 5V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):285pF @ 10V

功率 - 最大值:3.1W

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:8-SMD,扁平引線

供應商器件封裝:1206-8 ChipFET


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