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Vishay威世半導(dǎo)體原廠型號(hào)：SI5509DC-T1-GE3

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8

系列：TrenchFET

FET 類型：N 和 P 溝道

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：20V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）：6.1A，4.8A

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：52 毫歐 @ 5A，4.5V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：6.6nC @ 5V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：455pF @ 10V

功率 - 最大值：4.5W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SMD，扁平引線

供應(yīng)商器件封裝：1206-8 ChipFET