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SI4967DY-T1-GE3
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Vishay威世半導體原廠型號:SI4967DY-T1-GE3

制造商:Vishay Siliconix

描述:MOSFET 2P-CH 12V 8SOIC

系列:TrenchFET

FET 類型:2 個 P 溝道(雙)

FET 功能:邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss):12V

電流 - 連續漏極 (Id)(25°C 時):-

不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):23 毫歐 @ 7.5A,4.5V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):450mV @ 250μA(最小)

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):55nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):-

功率 - 最大值:2W

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)

供應商器件封裝:8-SO


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