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SI4931DY-T1-E3
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Vishay威世半導(dǎo)體原廠型號(hào):SI4931DY-T1-E3

制造商:Vishay Siliconix

描述:MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8-SOIC

系列:TrenchFET

FET 類型:2 個(gè) P 溝道(雙)

FET 功能:邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss):12V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):6.7A

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):18 毫歐 @ 8.9A,4.5V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1V @ 350μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):52nC @ 4.5V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):-

功率 - 最大值:1.1W

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)

供應(yīng)商器件封裝:8-SO


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