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SI4900DY-T1-E3
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Vishay威世半導(dǎo)體原廠型號(hào):SI4900DY-T1-E3

制造商:Vishay Siliconix

描述:MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC

系列:TrenchFET

FET 類型:2 個(gè) N 溝道(雙)

FET 功能:邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss):60V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):5.3A

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):58 毫歐 @ 4.3A,10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):20nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):665pF @ 15V

功率 - 最大值:3.1W

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)

供應(yīng)商器件封裝:8-SO


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