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SI4866DY-T1-GE3
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Vishay威世半導體原廠型號:SI4866DY-T1-GE3

制造商:Vishay Siliconix

描述:MOSFET N-CH 12V 11A 8-SOIC

系列:TrenchFET

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss):12V

電流 - 連續漏極 (Id)(25°C 時):11A(Ta)

不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):5.5 毫歐 @ 17A,4.5V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):600mV @ 250μA(最?。?/p>

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):30nC @ 4.5V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):-

功率 - 最大值:1.6W

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)

供應商器件封裝:8-SO


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