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SI4186DY-T1-GE3
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Vishay威世半導(dǎo)體原廠型號:SI4186DY-T1-GE3

制造商:Vishay Siliconix

描述:MOSFET N-CH 20V 35.8A 8SOIC

系列:TrenchFET

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓 (Vdss):20V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):35.8A(Tc)

不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):2.6 毫歐 @ 15A,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):90nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):3630pF @ 10V

功率 - 最大值:6W

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)

供應(yīng)商器件封裝:8-SO


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