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SI3900DV-T1-GE3
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Vishay威世半導(dǎo)體原廠型號(hào):SI3900DV-T1-GE3

制造商:Vishay Siliconix

描述:MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP

系列:TrenchFET

FET 類型:2 個(gè) N 溝道(雙)

FET 功能:邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss):20V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):2A

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):125 毫歐 @ 2.4A,4.5V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):4nC @ 4.5V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):-

功率 - 最大值:830mW

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:SOT-23-6 細(xì)型,TSOT-23-6

供應(yīng)商器件封裝:6-TSOP


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