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SI3529DV-T1-GE3
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Vishay威世半導體原廠型號:SI3529DV-T1-GE3

制造商:Vishay Siliconix

描述:MOSFET N/P-CH 40V 2.5A 6-TSOP

系列:TrenchFET

FET 類型:N 和 P 溝道

FET 功能:邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss):40V

電流 - 連續漏極 (Id)(25°C 時):2.5A,1.95A

不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):125 毫歐 @ 2.2A,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):7nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):205pF @ 20V

功率 - 最大值:1.4W

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:SOT-23-6 細型,TSOT-23-6

供應商器件封裝:6-TSOP


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