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SI3493BDV-T1-E3
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Vishay威世半導(dǎo)體原廠型號(hào):SI3493BDV-T1-E3

制造商:Vishay Siliconix

描述:MOSFET P-CH 20V 8A 6-TSOP

系列:TrenchFET

FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物

FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓 (Vdss):20V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):8A(Tc)

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):27.5 毫歐 @ 7A,4.5V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):900mV @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):43.5nC @ 5V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):1805pF @ 10V

功率 - 最大值:2.97W

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:SOT-23-6 細(xì)型,TSOT-23-6

供應(yīng)商器件封裝:6-TSOP


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