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SI2365EDS-T1-GE3
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Vishay威世半導體原廠型號:SI2365EDS-T1-GE3

制造商:Vishay Siliconix

描述:MOSFET P-CH 20V 5.9A TO-236

系列:TrenchFET

FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物

FET 功能:標準

漏源極電壓 (Vdss):20V

電流 - 連續漏極 (Id)(25°C 時):5.9A(Tc)

不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):32 毫歐 @ 4A, 4.5V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):36nC @ 8V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):-

功率 - 最大值:1.7W

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供應商器件封裝:TO-236


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