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Vishay威世半導體原廠型號：SI2365EDS-T1-GE3

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET P-CH 20V 5.9A TO-236

系列：TrenchFET

FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET 功能：標準

漏源極電壓 (Vdss)：20V

電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：5.9A（Tc）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：32 毫歐 @ 4A， 4.5V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：36nC @ 8V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：-

功率 - 最大值：1.7W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應商器件封裝：TO-236