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Vishay威世半導體原廠型號：SI1902DL-T1-GE3

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET 2N-CH 20V 660MA SC-70-6

系列：TrenchFET

FET 類型：2 個 N 溝道（雙）

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：20V

電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：660mA

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：385 毫歐 @ 660mA， 4.5V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：1.2nC @ 4.5V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：-

功率 - 最大值：270mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：6-TSSOP，SC-88，SOT-363

供應商器件封裝：SC-70-6 （SOT-363）