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SI1902DL-T1-E3
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Vishay威世半導體原廠型號:SI1902DL-T1-E3

制造商:Vishay Siliconix

描述:MOSFET 2N-CH 20V 660MA SC70-6

系列:TrenchFET

FET 類型:2 個 N 溝道(雙)

FET 功能:邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss):20V

電流 - 連續漏極 (Id)(25°C 時):660mA

不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):385 毫歐 @ 660mA, 4.5V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):1.2nC @ 4.5V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):-

功率 - 最大值:270mW

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363

供應商器件封裝:SC-70-6 (SOT-363)


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