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SI1025X-T1-E3
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Vishay威世半導(dǎo)體原廠型號:SI1025X-T1-E3

制造商:Vishay Siliconix

描述:MOSFET 2P-CH 60V 190MA SOT563F

系列:TrenchFET

FET 類型:2 個 P 溝道(雙)

FET 功能:邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss):60V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):190mA

不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):4 歐姆 @ 500mA,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):1.7nC @ 15V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):23pF @ 25V

功率 - 最大值:250mW

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:SOT-563,SOT-666

供應(yīng)商器件封裝:SC-89-6


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