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SI1012CR-T1-GE3
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Vishay威世半導體原廠型號:SI1012CR-T1-GE3

制造商:Vishay Siliconix

描述:MOSFET N-CH 20V 630MA SC-75A

系列:TrenchFET

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss):20V

電流 - 連續漏極 (Id)(25°C 時):-

不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):396 毫歐 @ 600mA, 4.5V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):2nC @ 8V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):43pF @ 10V

功率 - 最大值:240mW

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:SC-75,SOT-416

供應商器件封裝:SC-75A


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