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IRFI640G
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Vishay威世半導(dǎo)體原廠型號(hào):IRFI640G

制造商:Vishay Siliconix

描述:MOSFET N-CH 200V 9.8A TO220FP

系列:-

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓 (Vdss):200V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):9.8A(Tc)

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):180 毫歐 @ 5.9A,10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):70nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):1300pF @ 25V

功率 - 最大值:40W

安裝類型:通孔

封裝/外殼:TO-220-3 全封裝,隔離接片

供應(yīng)商器件封裝:TO-220-3


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