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IRFD123PBF
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Vishay威世半導(dǎo)體原廠型號:IRFD123PBF

制造商:Vishay Siliconix

描述:MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP

系列:-

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:標準

漏源極電壓 (Vdss):100V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):1.3A(Ta)

不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):270 毫歐 @ 780mA,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):16nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):360pF @ 25V

功率 - 最大值:1.3W

安裝類型:通孔

封裝/外殼:4-DIP(0.300",7.62mm)

供應(yīng)商器件封裝:4-DIP,Hexdip,HVMDIP


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