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Vishay威世半導體原廠型號：IRFD120

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP

系列：-

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：標準

漏源極電壓 (Vdss)：100V

電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：1.3A（Ta）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：270 毫歐 @ 780mA，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：16nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：360pF @ 25V

功率 - 最大值：1.3W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：4-DIP（0.300"，7.62mm）

供應商器件封裝：4-DIP，Hexdip，HVMDIP