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IRFBE20STRR
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Vishay威世半導(dǎo)體原廠型號:IRFBE20STRR

制造商:Vishay Siliconix

描述:MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK

系列:-

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓 (Vdss):800V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):1.8A(Tc)

不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):6.5 歐姆 @ 1.1A,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):38nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):530pF @ 25V

功率 - 最大值:54W

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB

供應(yīng)商器件封裝:D2PAK


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