91偷拍一区二区三区精品-91图片-91外教网-91外围-91玩-91网

TK42E12N1,S1X >>> 東芝半導(dǎo)體芯片，深圳市諾森半導(dǎo)電子有限公司提供東芝半導(dǎo)體公司TK42E12N1,S1X報(bào)價(jià)、現(xiàn)貨供應(yīng)、功能介紹、技術(shù)資料下載，想實(shí)時(shí)獲取此顆IC的全球現(xiàn)貨庫(kù)存數(shù)量及實(shí)時(shí)價(jià)格嗎？那就馬上與我們聯(lián)系吧！

采購(gòu)TK42E12N1,S1X？不再猶豫，找我們沒(méi)錯(cuò)！對(duì)有長(zhǎng)期需求的制造商，提供免費(fèi)樣品！從前期的產(chǎn)品試產(chǎn)到大批量生產(chǎn)，我們將提供性?xún)r(jià)比最高的現(xiàn)貨供應(yīng)服務(wù)！

東芝半導(dǎo)體公司完整型號(hào)：TK42E12N1,S1X

制造廠家名稱(chēng)：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：MOSFET N CH 120V 88A TO-220

系列：-

FET 類(lèi)型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓 (Vdss)：120V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）：88A（Tc）

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：9.4 毫歐 @ 21A，10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：52nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：3100pF @ 60V

功率 - 最大值：140W

安裝類(lèi)型：通孔

封裝/外殼：TO-220-3

供應(yīng)商器件封裝：TO-220