91偷拍一区二区三区精品-91图片-91外教网-91外围-91玩-91网

SSM3K35CTC,L3F >>> 東芝半導(dǎo)體芯片，深圳市諾森半導(dǎo)電子有限公司提供東芝半導(dǎo)體公司SSM3K35CTC,L3F報(bào)價(jià)、現(xiàn)貨供應(yīng)、功能介紹、技術(shù)資料下載，想實(shí)時(shí)獲取此顆IC的全球現(xiàn)貨庫(kù)存數(shù)量及實(shí)時(shí)價(jià)格嗎？那就馬上與我們聯(lián)系吧！

采購(gòu)SSM3K35CTC,L3F？不再猶豫，找我們沒(méi)錯(cuò)！對(duì)有長(zhǎng)期需求的制造商，提供免費(fèi)樣品！從前期的產(chǎn)品試產(chǎn)到大批量生產(chǎn)，我們將提供性價(jià)比最高的現(xiàn)貨供應(yīng)服務(wù)！

東芝半導(dǎo)體公司完整型號(hào): SSM3K35CTC,L3F

制造廠家名稱: Toshiba Semiconductor and Storage

功能總體簡(jiǎn)述: MOSFET N-CH 20V 0.18A

系列: -

FET 類型: MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能: 邏輯電平柵極，1.2V 驅(qū)動(dòng)

漏源極電壓（Vdss）: 20V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）: 250mA（Ta）

不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）: 1.1 歐姆 @ 150mA，4.5V

不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）: 1V @ 100μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）: 0.34nC @ 4.5V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）: 36pF @ 10V

功率 - 最大值: 500mW

安裝類型: 表面貼裝

封裝/外殼: SC-101，SOT-883

供應(yīng)商器件封裝: CST3C