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RN1901FETE85LF
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東芝半導體公司完整型號:RN1901FETE85LF

制造廠家名稱:Toshiba Semiconductor and Storage

描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

系列:-

晶體管類型:2 個 NPN 預偏壓式(雙)

電流 - 集電極 (Ic)(最大值):100mA

電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V

電阻器 - 基底 (R1) (Ω):4.7k

電阻器 - 發射極基底 (R2) (Ω):4.7k

不同 Ic、Vce 時的 DC 電流增益 (hFE)(最小值):30 @ 10mA,5V

不同 Ib、Ic 時的 Vce 飽和值(最大值):300mV @ 250μA,5mA

電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO)

頻率 - 躍遷:250MHz

功率 - 最大值:100mW

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:SOT-563,SOT-666

供應商器件封裝:ES6


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