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東芝半導體公司完整型號：HN3C10FUTE85LF

制造廠家名稱：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：TRANSISTOR NPN US6

系列：-

晶體管類型：2 NPN（雙）

電壓 - 集射極擊穿（最大值）：12V

頻率 - 躍遷：7GHz

噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）：1.1dB @ 1GHz

增益：11.5dB

功率 - 最大值：200mW

不同 Ic、Vce 時的 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：80 @ 20mA，10V

電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：80mA

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：6-TSSOP，SC-88，SOT-363

供應商器件封裝：US6